(路透社)美光科技已经开始大规模生产用于英伟达最新人工智能芯片的高带宽存储半导体，周一开盘前美光科技股价上涨超过4%。
美光表示，HBM3E(高带宽内存3E)的功耗将比竞争对手的产品低30%，并有助于满足对为生成式人工智能应用提供动力的芯片不断飙升的需求。
英伟达将在其下一代H200图形处理单元中使用该芯片，预计将于第二季度开始发货，并取代目前的H100芯片，后者为该芯片设计公司带来了巨大的收入增长。
在英伟达(Nvidia)供应商SK海力士(SK Hynix)主导的高带宽内存(HBM)芯片市场上，用于人工智能的需求也增加了投资者的希望，即美光能够抵御其他市场的缓慢复苏。
HBM是美光最赚钱的产品之一，部分原因在于其结构涉及的技术复杂性。
该公司此前曾表示，预计2024财年HBM收入将达到“数亿美元”，并在2025年继续增长。
(Samrhitha Arunasalam在班加罗尔报道;编辑:Shilpi Majumdar)
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