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Axcelis宣布参加2024年日本SEMICON

放大字体  缩小字体 发布日期:2025-04-25 11:48:38    来源:本站    作者:admin    浏览次数:83    评论:0
导读

    贝弗利,质量。2024年12月3日/美通社/——为半导体行业提供离子注入解决方案的领先供应商Axcelis Technologies, Inc. (

  

  贝弗利,质量。2024年12月3日/美通社/——为半导体行业提供离子注入解决方案的领先供应商Axcelis Technologies, Inc. (Nasdaq: ACLS)今天宣布,将在SEMICON Japan 2024展会上展示其Purion?和GSD Ovation?系列离子注入器。会议和展览将于12月11日至13日在日本东京的东京国际会展中心举行。Axcelis将在4号馆4621号展位。

  半导体制造商被邀请参观Axcelis展览,以了解提供重要技术和制造优势的创新离子植入解决方案的第一手资料。

  Purion Power系列?-采用Axcelis的创新解决方案,适用于全功率器件应用领域的薄硅,TAIKO和碳化硅(SiC)晶圆加工,以及150mm, 200mm和300mm晶圆的晶圆处理。

  Purion H?系列-提供无与伦比的纯度和精度,同时在整个高电流操作空间实现行业领先的生产力。

  Purion H200?- Axcelis的最先进的单晶圆高电流中能植入器,旨在满足为物联网(IoT)和电源应用设计的设备的独特植入需求。

  Purion XE?系列-业界领先的高能植入平台,具有最宽的能量范围,包括puion XEmax型号,采用专利Boost技术?,可用于最先进的图像传感器应用,最高可达15MeV。

  Purion M?系列-最低功率co消耗中电流植入器提供最广泛的中电流剂量,以及无与伦比的灵活性,以满足当今不断发展的植入要求。

  GSD Ovation?-通过支持晶圆分裂(Si和SiC)和替代衬底(钽酸锂和陶瓷)中的新兴应用,提供最具成本效益的方式来扩展高电流和高能量批处理平台能力。

  展会期间,Axcelis还将在12月12日(周四)举办以下活动:

  SiC功率器件制造离子植入技术

  参展商TechSPOT展厅5,下午15:30 - 15:50

  随着芯片制造商从150mm SiC晶圆过渡到200mm SiC晶圆,功率器件市场正处于关键拐点。离子植入设备需要提供处理多种晶圆尺寸、各种衬底类型和在不同植入温度下操作的灵活性。请加入我们,了解Axcelis的硅和碳化硅(SiC)功率半导体产品线,SiC植入铝离子源和生产力选项以及Si IGBT晶圆处理和质子(H+)植入解决方案。

  阿克塞利斯欢乐时光庆典

  4号馆4261号展位,下午16:00 - 17:00

  加入我们的饮料和开胃菜,并与Axcelis团队见面!

  Axcelis Technologies总裁兼首席执行官Russell Low表示:“我们很高兴能成为这个项目的一部分

  并有机会为日本芯片制造商提供最先进的离子植入技术。我们为我们不断增长的装机量感到自豪

  我们将继续专注于扩大我们的市场份额,为客户提供最具创新性的植入技术和支持解决方案,以确保他们的成功。”

  Axcelis日本地区经理Charles Pieczulewski评论道:“Axcelis在电源、图像传感器、内存和逻辑应用方面广泛的植入产品组合给日本客户留下了深刻的印象。我们期待在SEMICON Japan上展示我们最新的技术进步。”

  一个布特Axcelis:

  Axcelis (Nasdaq: ACLS)总部位于马萨诸塞州贝弗利。在过去的45年里,我们一直致力于为半导体行业提供创新、高生产率的解决方案。Axcelis致力于通过离子注入系统的设计、制造和完整生命周期支持来开发使能工艺应用,离子注入系统是IC制造过程中最关键和使能的步骤之一。了解更多关于Axcelis的信息,请访问www.axcelis.com。

  AXCELIS联系人:

  日本:

  Charles Pieczulewski(日本地区经理)+81.3.5860.2586

  全球:

  莫琳·哈特(编辑/媒体)+1.978.787.4266

  David Ryzhik(投资者关系)+1.978.787.2352

  标志- https://mma.prnasia.com/media2/1756239/Axcelis_1_Logo.jpg?p=medium600

 
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