中国在极紫外光刻光源技术方面取得重大突破的文章。中国科学院上海光学精密机械研究所的林楠研究员带领团队，使用固体脉冲激光器代替二氧化碳激光作为驱动光源，成功开发出LPP-EUV光源，已经达到国际领先水平，对中国自主开展EUV光刻有重要意义。该技术有望突破中国自主生产芯片的阻碍。固体激光驱动等离子体EUV光源的研究仍处于初期实验阶段，还未完全走向商业化。目前，林楠团队固体激光的CE最高可达到3.42%，超过了荷兰和瑞士研究团队的水平，已经达到了商用光源转化效率的一半。这一研究为国产光刻量测层面提供更多的新技术支持。
然而，尽管中国在EUV光源层面取得重大突破，但要制造出先进的EUV（极紫外光）光刻设备仍需要很多年。当前半导体出口管制和关税下，美方对华科技封锁的行为严重违背国际贸易规则，严重破坏全球半导体产业格局，严重冲击国际产业链供应链的安全和稳定。中国政府已经对此表达了强烈反对，并敦促荷方维护中荷两国和双方企业的共同利益，维护国际产业链供应链的稳定和自由、开放、公正、非歧视的国际贸易环境。
上海光机所EUV光刻技术获重大突破，中国芯片生产有望不再被美国“卡脖子”｜钛媒体AGI
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